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這種影響要嚴重得多，而且發生的速度將遠遠快于僅中國制造2025計劃的預期效果。分析人士目前預測，包括IDM和無晶圓廠設計公司在內的中國半導體公司的收入可能以每年10%至15%的速度增長，到2025年，其國內需求覆蓋率將從2018年的14%提高到25%至40%。這種增長將轉化為中國半導體行業在全球市場份額中的增長4至7個百分點，這與我們在情景1和情景2模型中的預測一致。
在沒有限制美國技術來源的情況下，根據“中國制造2025”計劃更換外國半導體將影響美國和非美國供應商。假設替代程度與當前市場份額成正比，我們的市場模型預測，僅由于“中國制造2025”，美國半導體公司的全球份額將僅損失2至5個百分點。這一市場份額損失大約是我們所評估的中美摩擦兩種情況下市場份額損失的四分之一。
有兩個主要原因可以解釋中美摩擦帶來的更為的影響。先，對于國應商可供選擇的半導體組件，我們預計中國設備制造商將瞄準美國供應商的替代品，并在需要時選擇將非美國供應商作為第二來源。此外，面對美國的出口限制（甚至是美國可能在我們的情景1中對實體名單之外的公司施加此類限制的風險），中國設備制造商還將嘗試用其他或歐洲供應商取代美國半導體供應商，即使這種替代無助于實現中國制造2025年的目標。
除了財務影響外，我們的分析還揭示了一個風險，即將美國半導體公司拒之門外后，中國市場可能引發產業結構的劇烈變化，對美國經濟競爭力和產生深刻、不可逆轉的影響。如果美國半導體公司的全球份額下滑至約30%，美國將把其長期的全球半導體地位拱手讓給韓國或中國。
更根本的是，美國可能面臨不得不在很大程度上依賴外國供應商來滿足其國內半導體需求的風險。預計每年研發投資將減少30%至60%，美國工業可能無法提供滿足美國國防和系統未來需求所需的技術進步。
美國半導體行業的下行風險可能不止于此。一旦美國工業失去其全球地位，它將不可能重新獲得。如果我們的中長期情景2得以實現，中國成為全球者，美國半導體行業將可能面臨額外的份額侵蝕，超出我們預測的18個百分點。在沒有貿易壁壘的情況下，中國的競爭對手不會將自己局限于主導國內市場。
在其他幾個技術領域，中國企業利用在國內市場建立的規模優勢，以搶占海外市場的市場份額，使行業利潤率降低了50%至90%。（見附件12。）

限制對華貿易，將威脅到美國半導體地位
中美摩擦給美國半導體公司發展帶來了巨大阻力。自“貿易戰”開始以來，美國前25大半導體公司的收入同比增幅已從2018年7月實施輪關稅前的4個季度的10%驟降至2018年底的約1%。而在美國2019年5月限制向華為銷售某些技術產品后的三個季度中，美國半導體公司的營收均下降了4%至9%。其中許多公司將與中國的貿易沖突作為其業績下滑的一個重要因素。
盡管中美兩國在2020年1月簽署的“階段”協議，包含了與半導體行業相關的幾個領域的條款，如知識產權保護和技術轉讓要求。然而，它沒有解決其它復雜的問題，比如中國對國內半導體企業的國家支持，對某些中國實體獲得與美國擔憂相關的美國技術的限制依然存在。
雙邊沖突的持續，可能危及美國半導體公司在中國與其競爭對手(包括來自中國和其它地區的競爭對手)開展平等業務的能力，從而可能對美國半導體行業從中國設備制造商那里獲得的約490億美元收入(占其總收入的22%)構成直接風險。這種風險將威脅到美國產業維持其創新和全球地位的良性循環。
鑒于目前的不確定性，我們評估了兩種可能在未來出現的情況：

BCG報告核心要點：
1、美國半導體產業能夠保持，主要有賴于產業的良性循環。
美國半導體行業之所以在全球處于地位，主要有賴于大量研發投資所帶來的技術進步和產品創新。技術使美國企業建立了創新的良性循環，從大規模的研發工作中產生了的技術和產品，進而帶來更高的市場份額，通常也會帶來更高的利潤率，這將繼續為良性循環提供動力。
2、美國限制對華貿易，以后不論維持現狀還是徹底技術脫鉤，其影響都不容小覷。
在這份報告中，BCG評估了在兩種情況下，正在持續的中美摩擦對半導體行業的影響。種假設是“美國維持現有的對華出口限制和技術管制”，第二種假設是“徹底終止雙邊技術貿易、技術領域對華脫鉤”。
無論是維持現有對華出口限制還是技術領域徹底對華“脫鉤”，都將在未來幾年導致美國半導體企業的全球市場份額和營收大幅下降。
3、若貿易摩擦升級，美國的全球半導體地位將岌岌可危。

半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域應用。如二管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的核心單元都和半導體有著為密切的關聯。常見的半導體材料有硅、鍺、化鎵等，而硅更是各種半導體材料中，在商業應用上具有影響力的一種。
半導體應用
半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明應用、大功率電源轉換等領域應用。
光伏應用
半導體材料光生伏應是太陽能電池運行的基本原理。現階段半導體材料的光伏應用已經成為熱門 ，是目前世界上增長快、發展好的清潔能源市場。太陽能電池的主要制作材料是半導體材料，判斷太陽能電池的優劣主要的標準是光電轉化率 ，光電轉化率越高 ，說明太陽能電池的工作效率越高。根據應用的半導體材料的不同 ，太陽能電池分為晶體硅太陽能電池、薄膜電池以及III-V族化合物電池。
照明應用
LED是建立在半導體晶體管上的半導體發光二管 ，采用LED技術半導體光源體積小，可以實現平面封裝，工作時發熱量低、節能，產品壽命長、反應速度快，而且綠色環保無污染，還能開發成輕薄短小的產品 ，一經問世 ，就迅速普及，成為新一代的照明光源，目前已經廣泛的運用在我們的生活中。如交通指示燈、電子產品的背光源、城市夜景美化光源、室內照明等各個領域 ，都有應用。
大功率電源轉換
交流電和直流電的相互轉換對于電器的使用十分重要 ，是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高 ，禁帶寬度寬，熱導性高，因此SiC半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合，電源裝換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的又一表現使得現在被廣泛使用到深井鉆探，發電裝置中國的逆變器，電氣混動汽車的能量轉化器，輕軌列車牽引動力轉換等領域。由于SiC本身的優勢以及現階段行業對于輕量化、高轉換效率的半導體材料需要，SiC將會取代Si，成為應用廣泛的半導體材料。
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